博旺达科技

SGS授予巨风半导体AEC Q100认证证书

6月16日，国际公认的测试、检验和认证机构SGS为广东巨风半导体有限公司（以下简称：巨风半导体）颁发AEC Q100认证证书。获得本次认证的是TR2181-A巨风半导体车载芯片。

恭喜深圳市博旺达科技有限公司成为 Semihigh 品牌中国区代理商

深圳市博旺达科技有限公司成为Semihigh 品牌中国区授权代理商

恭喜深圳市博旺达科技有限公司成为 绿微/GMIC 中国区代理商

8月1日，深圳市博旺达科技有限公司获得深圳市绿微芯片技术研发有限公司授权，成为GMIC 品牌中国区代理商。

【方案分享】巨风半导体IGBT模块在商用大功率光伏逆变器、储能变流器的应用及解决方案

近年来，可再生能源发电技术正在快速发展，但是可再生能源发电受天气、日照时间、风速、输配电等影响，时常存在不稳定性等问题，对电网影响较大。随着光伏、风电渗透率的提升，其天然的随机性、波动性，以及通过电力电子装置并网，惯性小等特点，使得风光发电与储能深度融合成为必然。

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平面，沟槽（Trench),SGT(深沟槽）工艺区别

1.VDMOS纯平面工艺就好比我们小时候的土屋，几乎不需要挖地基,纯平面架构特点：成本高，雪崩强，内阻抗大，ESD能力强，属于纯力量型选手。 2.Trench工艺，俗称潜沟槽工艺，就好比我们农村的楼房，需要挖地基到一定深度，同样的使用面积所需要的地皮少，相比平面工艺，成本略低， 同电压平台，内阻略小，电流大，输出能力……