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1.VDMOS纯平面工艺就好比我们小时候的土屋，几乎不需要挖地基,纯平面架构特点：成本高，雪崩强，内阻抗大，ESD能力强，属于纯力量型选手。

2.Trench工艺，俗称潜沟槽工艺，就好比我们农村的楼房，需要挖地基到一定深度，同样的使用面积所需要的地皮少，相比平面工艺，成本略低， 同电压平台，内阻略小，电流大，输出能力强，反之抗冲击能力也更弱，速度与力量的结合。

3.SGT工艺，俗称深沟槽工艺，就好比现在城市的高楼大厦，需要挖的地基特别深，相比前者，内阻极低，成本极低，电流特别大，属于敏捷型选手，一旦受到外部冲击，很容易挂，特别马达类领域一旦堵转，优先炸管的肯定是SGT。

4.  1）MOS 漏源电流越大，内阻相应越小，MOS管的带载能力越强；

     2）IGBT饱和压降高，功耗大，10安电流，饱和压降1.70伏，功耗17瓦;

     3）平面工艺稳定，沟槽（tranch)新工艺，耐压更高，内阻小，SGT 内阻更小，相同参数的氮化镓内阻是十几个豪欧，比平面工艺内阻小（小2-6倍）.

5. MOSFET在导通之后，其特性可以近似认为是一个电阻，VCC→RDS（on） →RL→GND形成回路。 按照电阻分压原理，串联电路中的分压与阻值成正比，电阻值越大分得的电压越多。 所以内阻越小，它在同样的电源消耗条件下对于相同阻抗的负载来说所分走并消耗在自身上的电压越低，而负载上的电压越高，可以带起功率更大的负载来。 内阻越大，管子自身消耗的功率越多，管子越容易发热，寿命变短，甚至炸裂。 内阻越小，负载产生的分压越多，获得的能量就越大，说明带载能力越强，所以一般选用内阻较低的MOS管。